巴斯夫新推出一种特别适用于制造绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 半导体外壳的聚邻苯二甲酰胺(PPA) 。据称，Ultramid Advanced N3U41 G6 可满足对高性能、可靠电子元件日益增长的需求，例如电动汽车、高速列车、智能制造和可再生能源发电。凭借其耐化学性和尺寸稳定性，Ultramid Advanced N 级材料可增强这些 IGBT 的坚固性、长期性能和可靠性，从而满足日益增长的节能、更高功率密度和更高效率的需求。 

在当今的 IGBT 中，巴斯夫的 Ultradur PBT 被广泛使用。新款 PPA 旨在满足快速发展的电力电子设备对下一代 IGBT 的严格要求。它们要求材料能够承受更高的温度，提供持续的电气绝缘，并在湿度、灰尘和污垢等恶劣环境条件下保持尺寸稳定性。激光敏感的 Ultramid Advanced N3U41G6 具有非卤素阻燃剂，兼具高热稳定性、低吸水率和出色的电气性能。它的特点是具有 600 的高相对跟踪指数 (CTI)（根据 IEC 60112）：与迄今为止用于电源开关的材料相比，它通过更低的爬电距离和更好的绝缘性支持 IGBT 的小型化。UL 认证等级显示出 150°C 的出色电气相对温度指数 (RTI) 值。 

IGBT 可实现电力电子电路的高效切换和控制。全球电力电子技术供应商赛米控丹佛斯目前采用巴斯夫 PPA 作为其 Semitrans 10 IGBT 的外壳，该 IGBT 可安装在光伏和风能系统的逆变器中。赛米控丹佛斯研究和预开发部门的 Jörn Grossmann 解释说：“IGBT 是现代电子产品的关键要素，尤其是在可再生能源领域。IGBT 必须在更高的温度下运行，同时保持长期稳定性和性能。得益于巴斯夫 PPA 的独特性能，Semitrans 10 为性能和效率树立了新的标杆。我们之所以选择这种材料，是因为它即使在恶劣环境下也能实现出色的电气隔离，并且对装配过程中的短期温度峰值具有出色的耐受性。”